Image is for reference only , details as Specifications

ESM2012DV

Производителей: STMicroelectronics
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Лист данных: ESM2012DV
Описание: TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя STMicroelectronics
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Серии -
Упаковки Tube
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 175W
Тип монтажа Chassis Mount
Пакет / Дело ISOTOP
Тип транзистора NPN - Darlington
Номер базовой части ESM2012
Операционная температура 150°C (TJ)
Частота - Переход -
Пакет устройств поставщика ISOTOP®
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 1.5V @ 1A, 100A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 120A
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) -
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 1200 @ 100A, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 120V

На складе 97 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BUY69A
STMicroelectronics
$0
BUX98A
STMicroelectronics
$0
BUX48A
STMicroelectronics
$0
BUX48
STMicroelectronics
$0
BUX348
STMicroelectronics
$0