Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRF630

Производителей:	STMicroelectronics
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRF630
Описание:	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	STMicroelectronics
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	MESH OVERLAY™ II
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-220-3
Номер базовой части	IRF6
Vgs (th) (Max)	4V @ 250µA
Операционная температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	400mOhm @ 4.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	75W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-220AB
Заряд ворот (Кг) (Макс)	45nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	700pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	9A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V