Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SCTH90N65G2V-7

Производителей: STMicroelectronics
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SCTH90N65G2V-7
Описание: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя STMicroelectronics
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии -
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) +22V, -10V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Номер базовой части SCTH90
Vgs (th) (Max) 5V @ 1mA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 26mOhm @ 50A, 18V
Рассеивание мощности (Макс) 330W (Tc)
Пакет устройств поставщика H2PAK-7
Заряд ворот (Кг) (Макс) 157nC @ 18V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 3300pF @ 400V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 90A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 18V

На складе 71 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DMN3731U-13
Diodes Incorporated
$0.03
DMN63D8L-13
Diodes Incorporated
$0.03
2N7002,235
Nexperia USA Inc.
$0.03
DMG2301L-13
Diodes Incorporated
$0.04
DMN62D0UW-13
Diodes Incorporated
$0.04