Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SCTW90N65G2V

Производителей:	STMicroelectronics
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SCTW90N65G2V
Описание:	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	STMicroelectronics
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Vgs (Макс)	+22V, -10V
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-247-3
Номер базовой части	SCTW90
Vgs (th) (Max)	5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 200°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	25mOhm @ 50A, 18V
Рассеивание мощности (Макс)	390W (Tc)
Пакет устройств поставщика	HiP247™
Заряд ворот (Кг) (Макс)	157nC @ 18V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	3300pF @ 400V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	90A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	18V