Image is for reference only , details as Specifications
SCTW90N65G2V
| Производителей: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Лист данных: | SCTW90N65G2V |
| Описание: | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | STMicroelectronics |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Серии | - |
| Тип FET | N-Channel |
| Vgs (Макс) | +22V, -10V |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Функция FET | - |
| Статус части | Active |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет / Дело | TO-247-3 |
| Номер базовой части | SCTW90 |
| Vgs (th) (Max) | 5V @ 250µA |
| Операционная температура | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 25mOhm @ 50A, 18V |
| Рассеивание мощности (Макс) | 390W (Tc) |
| Пакет устройств поставщика | HiP247™ |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 157nC @ 18V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 650V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 3300pF @ 400V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 90A (Tc) |
| Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 18V |
На складе 87 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $51.98 | $50.94 | $49.92 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
