Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SCTWA50N120

Производителей:	STMicroelectronics
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SCTWA50N120
Описание:	MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	STMicroelectronics
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Vgs (Макс)	+25V, -10V
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-247-3
Номер базовой части	SCTWA
Vgs (th) (Max)	3V @ 1mA
Операционная температура	-55°C ~ 200°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	69mOhm @ 40A, 20V
Рассеивание мощности (Макс)	318W (Tc)
Пакет устройств поставщика	HiP247™
Заряд ворот (Кг) (Макс)	122nC @ 20V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	1200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1900pF @ 400V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	65A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	20V