Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

STB35N60DM2

Производителей:	STMicroelectronics
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	STB35N60DM2
Описание:	MOSFET N-CH 600V 28A
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	STMicroelectronics
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	MDmesh™ DM2
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±25V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Номер базовой части	STB35N
Vgs (th) (Max)	5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	110mOhm @ 14A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	210W (Tc)
Пакет устройств поставщика	D2PAK
Заряд ворот (Кг) (Макс)	54nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2400pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	28A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V