Image is for reference only , details as Specifications

STB35N65DM2

Производителей: STMicroelectronics
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: STB35N65DM2
Описание: NCHANNEL 650 V 0.094 OHM TYP. 28
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя STMicroelectronics
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии MDmesh™ M2
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Номер базовой части STB35N
Vgs (th) (Max) 5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 110mOhm @ 14A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 210W (Tc)
Пакет устройств поставщика D2PAK
Заряд ворот (Кг) (Макс) 54nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2400pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 28A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 78 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IXFL132N50P3
IXYS
$20.41
IXFB210N30P3
IXYS
$20.32
IXFK64N50Q3
IXYS
$20.16
IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
$0.4
BSS806NH6327XTSA1
Infineon Technologies
$0