Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

STB36NM60ND

Производителей: STMicroelectronics
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: STB36NM60ND
Описание: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя STMicroelectronics
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии FDmesh™ II
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Номер базовой части STB36N
Vgs (th) (Max) 5V @ 250µA
Операционная температура 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 110mOhm @ 14.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 190W (Tc)
Пакет устройств поставщика D2PAK
Заряд ворот (Кг) (Макс) 80.4nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2785pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 29A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 1000 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPP60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
$3.36
IPW60R190E6FKSA1
Infineon Technologies
$3.36
IPA60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
$3.36
IPW65R190CFDFKSA1
Infineon Technologies
$3.35
SPW16N50C3FKSA1
Infineon Technologies
$3.34