Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

STD9HN65M2

Производителей:	STMicroelectronics
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	STD9HN65M2
Описание:	MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	STMicroelectronics
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	MDmesh™ M2
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±25V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Номер базовой части	STD9H
Vgs (th) (Max)	4V @ 250µA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	820mOhm @ 2.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	60W (Tc)
Пакет устройств поставщика	DPAK
Заряд ворот (Кг) (Макс)	11.5nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	325pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	5.5A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V