Image is for reference only , details as Specifications

STGYA120M65DF2

Производителей: STMicroelectronics
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Single
Лист данных: STGYA120M65DF2
Описание: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя STMicroelectronics
Категория продукции Transistors - IGBTs - Single
Серии *
Тип IGBT NPT, Trench Field Stop
Упаковки Tube
Тип ввода Standard
Плата за ворота 420nC
Статус части Active
Мощность - Макс 625W
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-247-3 Exposed Pad
Условие тестирования 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Номер базовой части STGYA120
Энергия переключения 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Td (в/выкл) 66ns/185ns
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет устройств поставщика MAX247™
Vce (на) (Макс) 1.95V @ 15V, 120A
Обратное время восстановления (trr) 202ns
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 160A
Текущий - Коллектор Пульсированный (Icm) 360A
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 650V

На складе 444 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.03 $10.81 $10.59
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

STGW40H120DF2
STMicroelectronics
$10.25
FGL35N120FTDTU
ON Semiconductor
$10
IXGH30N120B3D1
IXYS
$9.07
IKW75N60H3FKSA1
Infineon Technologies
$8.88
IRG4PH50KDPBF
Infineon Technologies
$8.81