Image is for reference only , details as Specifications

STH315N10F7-6

Производителей: STMicroelectronics
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: STH315N10F7-6
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя STMicroelectronics
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии DeepGATE™, STripFET™ VII
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Номер базовой части STH315
Vgs (th) (Max) 4.5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 2.3mOhm @ 60A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 315W (Tc)
Пакет устройств поставщика H2PAK-6
Заряд ворот (Кг) (Макс) 180nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 12800pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 180A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 7 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
$0
FDMT80040DC
ON Semiconductor
$0
SUM110P04-05-E3
Vishay / Siliconix
$0
SUM90P10-19L-E3
Vishay / Siliconix
$0