Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

STH315N10F7-6

Производителей:	STMicroelectronics
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	STH315N10F7-6
Описание:	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	STMicroelectronics
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	DeepGATE™, STripFET™ VII
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Номер базовой части	STH315
Vgs (th) (Max)	4.5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	2.3mOhm @ 60A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	315W (Tc)
Пакет устройств поставщика	H2PAK-6
Заряд ворот (Кг) (Макс)	180nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	12800pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	180A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V