Image is for reference only , details as Specifications

STP35N60DM2

Производителей: STMicroelectronics
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: STP35N60DM2
Описание: MOSFET N-CH 600V 28A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя STMicroelectronics
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии MDmesh™ DM2
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Номер базовой части STP35N
Vgs (th) (Max) 5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 110mOhm @ 14A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 210W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-220
Заряд ворот (Кг) (Макс) 54nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2400pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 28A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 2 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.87 $4.77 $4.68
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

STFW3N170
STMicroelectronics
$4.52
STW3N170
STMicroelectronics
$4.41
IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
$0
STH270N8F7-6
STMicroelectronics
$0
IXFP38N30X3
IXYS
$3.92