Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

STW58N65DM2AG

Производителей:	STMicroelectronics
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	STW58N65DM2AG
Описание:	MOSFET N-CH 650V 48A
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	STMicroelectronics
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±25V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-247-3
Номер базовой части	STW58N
Vgs (th) (Max)	5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	65mOhm @ 24A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	360W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-247
Заряд ворот (Кг) (Макс)	88nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	4100pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	48A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V