Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TC58BVG1S3HBAI6

Производителей: Toshiba Memory America, Inc.
Категория продукции: Memory
Лист данных: TC58BVG1S3HBAI6
Описание: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Memory America, Inc.
Категория продукции Memory
Серии Benand™
Упаковки Tray
Технологии FLASH - NAND (SLC)
Время доступа 25ns
Размер памяти 2Gb (256M x 8)
Тип памяти Non-Volatile
Статус части Active
Формат памяти FLASH
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 67-VFBGA
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 2.7V ~ 3.6V
Операционная температура -40°C ~ 85°C (TA)
Пакет устройств поставщика 67-VFBGA (6.5x8)
Напишите Время цикла - Слово, Страница 25ns

На складе 23 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.41 $3.34 $3.27
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BR24T02FV-WE2
ROHM Semiconductor
$0
FT25C08A-UTR-B
Fremont Micro Devices Ltd
$0.14
11AA010T-I/SN
Lanka Micro
$0.19
11LC010T-I/SN
Lanka Micro
$0.19
CAT25080YI-GT3JN
ON Semiconductor
$0.18