Image is for reference only , details as Specifications

TC58BYG0S3HBAI6

Производителей: Toshiba Memory America, Inc.
Категория продукции: Memory
Лист данных: TC58BYG0S3HBAI6
Описание: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Memory America, Inc.
Категория продукции Memory
Серии Benand™
Упаковки Tray
Технологии FLASH - NAND (SLC)
Время доступа 25ns
Размер памяти 1Gb (128M x 8)
Тип памяти Non-Volatile
Статус части Active
Формат памяти FLASH
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 67-VFBGA
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.7V ~ 1.95V
Операционная температура -40°C ~ 85°C (TA)
Пакет устройств поставщика 67-VFBGA (6.5x8)
Напишите Время цикла - Слово, Страница 25ns

На складе 54 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

TC58BVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
$0
TC58BVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
$0
MB85R4002ANC-GE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
$12.39
MB85R4001ANC-GE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
$12.39
MB85R4M2TFN-G-JAE2
Fujitsu Electronics America, Inc.
$9.21