Image is for reference only , details as Specifications

TC58BYG2S0HBAI6

Производителей: Toshiba Memory America, Inc.
Категория продукции: Memory
Лист данных: TC58BYG2S0HBAI6
Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Memory America, Inc.
Категория продукции Memory
Серии Benand™
Упаковки Tray
Технологии FLASH - NAND (SLC)
Время доступа 25ns
Размер памяти 4Gb (512M x 8)
Тип памяти Non-Volatile
Статус части Active
Формат памяти FLASH
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 67-VFBGA
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.7V ~ 1.95V
Операционная температура -40°C ~ 85°C (TA)
Пакет устройств поставщика 67-VFBGA (6.5x8)
Напишите Время цикла - Слово, Страница 25ns

На складе 2 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.58 $4.49 $4.40
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

W978H6KBVX2I
Winbond Electronics
$4.52
AS4C8M16D1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
$3.1
W25Q256JVFIQ
Winbond Electronics
$3.05
S25FL128LAGMFI001
Cypress Semiconductor Corp
$2.88
IS25WP064A-RHLE
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$2.35