Image is for reference only , details as Specifications

TH58BYG2S3HBAI6

Производителей: Toshiba Memory America, Inc.
Категория продукции: Memory
Лист данных: TH58BYG2S3HBAI6
Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Memory America, Inc.
Категория продукции Memory
Серии Benand™
Упаковки Tray
Технологии FLASH - NAND (SLC)
Время доступа 25ns
Размер памяти 4Gb (512M x 8)
Тип памяти Non-Volatile
Статус части Active
Формат памяти FLASH
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 67-VFBGA
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.7V ~ 1.95V
Операционная температура -40°C ~ 85°C (TA)
Пакет устройств поставщика 67-VFBGA (6.5x8)
Напишите Время цикла - Слово, Страница 25ns

На складе 338 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.13 $5.03 $4.93
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SST49LF008A-33-4C-WHE
Lanka Micro
$5.09
S25FL256SAGMFV010
Cypress Semiconductor Corp
$5.03
W94AD2KBJX5I
Winbond Electronics
$5
MX30UF2G18AC-XKI
Macronix
$4.93
MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR
Micron Technology Inc.
$0