Image is for reference only , details as Specifications

TH58NYG3S0HBAI6

Производителей: Toshiba Memory America, Inc.
Категория продукции: Memory
Лист данных: TH58NYG3S0HBAI6
Описание: IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Memory America, Inc.
Категория продукции Memory
Серии -
Упаковки Tray
Технологии FLASH - NAND (SLC)
Время доступа 25ns
Размер памяти 8Gb (1G x 8)
Тип памяти Non-Volatile
Статус части Active
Формат памяти FLASH
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 67-VFBGA
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.7V ~ 1.95V
Операционная температура -40°C ~ 85°C (TA)
Пакет устройств поставщика 67-VFBGA (6.5x8)
Напишите Время цикла - Слово, Страница 25ns

На складе 287 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$8.40 $8.23 $8.07
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

S25FL512SAGMFVR11
Cypress Semiconductor Corp
$8.4
MT28EW512ABA1LPC-0AAT
Micron Technology Inc.
$8.35
S29GL512S11DHI010
Cypress Semiconductor Corp
$8.3
IS43TR16128DL-125KBLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$8.26
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
$8.2