Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TC58BYG1S3HBAI4

Производителей:	Toshiba Memory
Категория продукции:	USB Flash Drives
Лист данных:	TC58BYG1S3HBAI4
Описание:	NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Rohs	Details
Бренд	Toshiba Memory
Скорость	25 ns
Продукта	NAND Flash
Упаковки	Tray
Размер памяти	2 Gbit
Тип памяти	NAND
Подкатегории	Memory & Data Storage
Тип сроков	Synchronous
Архитектура	Block Erase
Производителя	Toshiba
Организации	256 M x 8
Тип продукта	NAND Flash
Ширина шины данных	8 bit
Тип интерфейса	Parallel
МонтажНый стиль	SMD/SMT
Пакет / Дело	TFBGA-63
Категория продукции	NAND Flash
Чувствительность к влажности	Yes
Ток поставок - Макс	30 mA
Напряжение снабжения - Макс	1.95 V
Напряжение снабжения - Мин	1.7 V
Количество пакетов фабрики	210
Максимальная частота часов	-
Максимальная рабочая температура	+ 85 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C