Image is for reference only , details as Specifications

TH58NYG2S3HBAI6

Производителей:	Toshiba Memory
Категория продукции:	USB Flash Drives
Лист данных:	TH58NYG2S3HBAI6
Описание:	NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Rohs	Details
Бренд	Toshiba Memory
Упаковки	Tray
Размер памяти	4 Gbit
Тип памяти	NAND
Подкатегории	Memory & Data Storage
Производителя	Toshiba
Организации	512 M x 8
Тип продукта	NAND Flash
Ширина шины данных	8 bit
Тип интерфейса	Parallel
МонтажНый стиль	SMD/SMT
Пакет / Дело	VFBGA-67
Категория продукции	NAND Flash
Чувствительность к влажности	Yes
Напряжение снабжения - Макс	1.95 V
Напряжение снабжения - Мин	1.7 V
Количество пакетов фабрики	210
Максимальная рабочая температура	+ 85 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C