Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

2SA1013-O,T6MIBF(J

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Лист данных: 2SA1013-O,T6MIBF(J
Описание: TRANS PNP 1A 160V TO226-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Серии -
Упаковки Bulk
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 900mW
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Тип транзистора PNP
Операционная температура 150°C (TJ)
Частота - Переход 50MHz
Пакет устройств поставщика TO-92L
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 1.5V @ 50mA, 500mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 1A
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1µA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 60 @ 200mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 160V

На складе 53 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BUK9C07-65BIT,118
Nexperia USA Inc.
$0
BUK9277-55A/CDJ
Nexperia USA Inc.
$0
BUK92150-55A/CDJ
Nexperia USA Inc.
$0
BUK7Y9R9-80E/CX
Nexperia USA Inc.
$0
BC860CW/ZLX
Nexperia USA Inc.
$0