Image is for reference only , details as Specifications

2SA1382,T6MIBF(J

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Лист данных: 2SA1382,T6MIBF(J
Описание: TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Серии -
Упаковки Bulk
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 900mW
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Тип транзистора PNP
Операционная температура 150°C (TJ)
Частота - Переход 110MHz
Пакет устройств поставщика TO-92MOD
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 500mV @ 33mA, 1A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 2A
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 150 @ 500mA, 2V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 64 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

2SA1315-Y,T6ASNF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA1315-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA1020-Y,T6KEHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA1020-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA1020-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
$0