Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

2SA1930(Q,M)

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Лист данных: 2SA1930(Q,M)
Описание: TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Серии -
Упаковки Bulk
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 2W
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3 Full Pack
Тип транзистора PNP
Операционная температура 150°C (TJ)
Частота - Переход 200MHz
Пакет устройств поставщика TO-220NIS
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 1V @ 100mA, 1A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 2A
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5µA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 180V

На складе 74 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

2SA1887(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA1244-Y(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA1242-Y(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
MPSW92RLRAG
ON Semiconductor
$0
MPSW45ARLRAG
ON Semiconductor
$0