Image is for reference only , details as Specifications

2SA965-Y,F(J

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Лист данных: 2SA965-Y,F(J
Описание: TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Серии -
Упаковки Bulk
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 900mW
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Тип транзистора PNP
Операционная температура 150°C (TJ)
Частота - Переход 120MHz
Пакет устройств поставщика LSTM
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 800mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 120V

На складе 68 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

2SA965-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA949-Y,ONK-1F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA949-Y,ONK-1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA949-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA949-Y(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0