Image is for reference only , details as Specifications

2SD2206,T6F(J

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Лист данных: 2SD2206,T6F(J
Описание: TRANS NPN 2A 100V TO226-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Серии -
Упаковки Bulk
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 900mW
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Тип транзистора NPN
Операционная температура 150°C (TJ)
Частота - Переход 100MHz
Пакет устройств поставщика TO-92MOD
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 1.5V @ 1mA, 1A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 2A
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 10µA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 2000 @ 1A, 2V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 100V

На складе 93 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

2N5139
Central Semiconductor Corp
$0
2N5134
Central Semiconductor Corp
$0
2N4916
Central Semiconductor Corp
$0
TSC966CT A3G
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
TSA894CT A3G
Taiwan Semiconductor Corporation
$0