Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

2SK1119(F)

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: 2SK1119(F)
Описание: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии -
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 1mA
Операционная температура 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 3.8Ohm @ 2A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 100W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-220AB
Заряд ворот (Кг) (Макс) 60nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 1000V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 700pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 4A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 93 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

2SJ681(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SJ610(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SJ380(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SJ360(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
SSR1N60BTM_F080
ON Semiconductor
$0