Image is for reference only , details as Specifications

2SK2719(F)

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: 2SK2719(F)
Описание: MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии -
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (th) (Max) 4V @ 1mA
Операционная температура 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 125W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-3P(N)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 25nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 900V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 750pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 3A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 84 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FDFS2P753AZ
ON Semiconductor
$0
SUM110N06-3M9H-E3
Vishay / Siliconix
$0
IRF2804S-7PPBF
Infineon Technologies
$0
SUM110N04-05H-E3
Vishay / Siliconix
$0
SUM09N20-270-E3
Vishay / Siliconix
$0