Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

6N138F

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Лист данных:	6N138F
Описание:	OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8DIP
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Серии	-
Упаковки	Tube
Тип ввода	DC
Тип вывода	Darlington with Base
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Номер базовой части	6N138
Количество каналов	1
Напряжение - Изоляция	2500Vrms
Vce Насыщенность (Макс)	-
Операционная температура	0°C ~ 70°C
Подъем / Падение Время (Typ)	-
Напряжение - Выход (Макс)	18V
Пакет устройств поставщика	8-DIP
Текущий - Выход / Канал	60mA
Текущее соотношение трансферов (Max)	-
Текущее трансферное соотношение (Мин)	300% @ 1.6mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Typ)	1.65V
Включите / Выключить время (Typ)	1µs, 4µs
Текущий - DC Вперед (Если) (Макс)	20mA