Image is for reference only , details as Specifications
GT10J312(Q)
| Производителей: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - IGBTs - Single |
| Лист данных: | GT10J312(Q) |
| Описание: | IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Категория продукции | Transistors - IGBTs - Single |
| Серии | - |
| Тип IGBT | - |
| Упаковки | Tube |
| Тип ввода | Standard |
| Статус части | Obsolete |
| Мощность - Макс | 60W |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Условие тестирования | 300V, 10A, 100Ohm, 15V |
| Номер базовой части | GT10 |
| Энергия переключения | - |
| Td (в/выкл) | 400ns/400ns |
| Операционная температура | 150°C (TJ) |
| Пакет устройств поставщика | TO-220SM |
| Vce (на) (Макс) | 2.7V @ 15V, 10A |
| Обратное время восстановления (trr) | 200ns |
| Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) | 10A |
| Текущий - Коллектор Пульсированный (Icm) | 20A |
| Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) | 600V |
На складе 80 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
