Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

HN3C51F-BL(TE85L,F

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Лист данных: HN3C51F-BL(TE85L,F
Описание: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Серии -
Упаковки Tape & Reel (TR)
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 300mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SC-74, SOT-457
Тип транзистора 2 NPN (Dual)
Операционная температура 150°C (TJ)
Частота - Переход 100MHz
Пакет устройств поставщика SM6
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 350 @ 2mA, 6V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 120V

На складе 79 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

HN3A51F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
PIMT1,115
Nexperia USA Inc.
$0
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
MMPQ3904 TR13
Central Semiconductor Corp
$0
ZXT12N20DXTA
Diodes Incorporated
$0