Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

HN4B01JE(TE85L,F)

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Лист данных: HN4B01JE(TE85L,F)
Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Active
Мощность - Макс 100mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SOT-553
Тип транзистора NPN, PNP (Emitter Coupled)
Операционная температура 150°C (TJ)
Частота - Переход 80MHz
Пакет устройств поставщика ESV
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 150mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 120 @ 10MA, 100MA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 435 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BC847RAPNZ
Nexperia USA Inc.
$0
ZDT617TA
Diodes Incorporated
$0.36
ZDT617TC
Diodes Incorporated
$0
XN0450400L
Panasonic Electronic Components
$0
XN0B30100L
Panasonic Electronic Components
$0