Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов
MT3S111P(TE12L,F)
| Производителей: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Лист данных: | MT3S111P(TE12L,F) |
| Описание: | RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Категория продукции | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Получить | 10.5dB |
| Серии | - |
| Упаковки | Digi-Reel® |
| Статус части | Active |
| Мощность - Макс | 1W |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | TO-243AA |
| Тип транзистора | NPN |
| Операционная температура | 150°C (TJ) |
| Частота - Переход | 8GHz |
| Пакет устройств поставщика | PW-MINI |
| Рисунок шума (dB Typ и f) | 1.25dB @ 1GHz |
| Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) | 6V |
На складе 7876 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
