Image is for reference only , details as Specifications

MT3S111P(TE12L,F)

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Лист данных: MT3S111P(TE12L,F)
Описание: RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Получить 10.5dB
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Active
Мощность - Макс 1W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-243AA
Тип транзистора NPN
Операционная температура 150°C (TJ)
Частота - Переход 8GHz
Пакет устройств поставщика PW-MINI
Рисунок шума (dB Typ и f) 1.25dB @ 1GHz
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 6V

На складе 7876 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

KSC1674YBU
ON Semiconductor
$0.3
MT3S113(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
MT3S113TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
NSVF4015SG4T1G
ON Semiconductor
$0
DTC114EETL
ROHM Semiconductor
$0