MT3S111P(TE12L,F)
Производителей: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Лист данных: | MT3S111P(TE12L,F) |
Описание: | RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Toshiba Semiconductor and Storage |
Категория продукции | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Получить | 10.5dB |
Серии | - |
Упаковки | Digi-Reel® |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | 1W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | TO-243AA |
Тип транзистора | NPN |
Операционная температура | 150°C (TJ) |
Частота - Переход | 8GHz |
Пакет устройств поставщика | PW-MINI |
Рисунок шума (dB Typ и f) | 1.25dB @ 1GHz |
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) | 6V |
На складе 7876 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1