Image is for reference only , details as Specifications

RN1102MFV,L3F

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных:	RN1102MFV,L3F
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Digi-Reel®
Статус части	Active
Мощность - Макс	150mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SOT-723
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased
Сопротивление - База (R1)	10 kOhms
Пакет устройств поставщика	VESM
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	10 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V