RN1103MFV(TPL3)
Производителей: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Лист данных: | RN1103MFV(TPL3) |
Описание: | TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Toshiba Semiconductor and Storage |
Категория продукции | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Серии | - |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | 150mW |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | SOT-723 |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
Номер базовой части | RN110* |
Сопротивление - База (R1) | 22 kOhms |
Пакет устройств поставщика | VESM |
Сопротивление - База Эмиттера (R2) | 22 kOhms |
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) | 500nA |
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) | 50V |
На складе 54 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.04 | $0.04 | $0.04 |
Минимальный: 1