Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RN1103MFV(TPL3)

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных: RN1103MFV(TPL3)
Описание: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Tape & Reel (TR)
Статус части Active
Мощность - Макс 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SOT-723
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Номер базовой части RN110*
Сопротивление - База (R1) 22 kOhms
Пакет устройств поставщика VESM
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 22 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 54 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.04 $0.04 $0.04
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DTA113EM3T5G
ON Semiconductor
$0.04
DTA115GKAT146
ROHM Semiconductor
$0.04
DDTA143FUA-7-F
Diodes Incorporated
$0.04
DDTB113EC-7-F
Diodes Incorporated
$0.04
DDTA124EUA-7-F
Diodes Incorporated
$0