RN1105MFV,L3F
Производителей: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Лист данных: | RN1105MFV,L3F |
Описание: | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Toshiba Semiconductor and Storage |
Категория продукции | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Серии | - |
Упаковки | Digi-Reel® |
Статус части | Discontinued at Digi-Key |
Мощность - Макс | 150mW |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | SOT-723 |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
Сопротивление - База (R1) | 2.2 kOhms |
Пакет устройств поставщика | VESM |
Сопротивление - База Эмиттера (R2) | 47 kOhms |
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) | 500nA |
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) | 50V |
На складе 56 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1