Image is for reference only , details as Specifications

RN1105MFV,L3F

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных: RN1105MFV,L3F
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Discontinued at Digi-Key
Мощность - Макс 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SOT-723
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Сопротивление - База (R1) 2.2 kOhms
Пакет устройств поставщика VESM
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 47 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 56 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DTB113ESTP
ROHM Semiconductor
$0
DRC9A43E0L
Panasonic Electronic Components
$0
RN2402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
DTD123TSTP
ROHM Semiconductor
$0