Image is for reference only , details as Specifications

RN1106MFV,L3F

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных: RN1106MFV,L3F
Описание: TRANS PREBIAS NPN
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Active
Мощность - Макс 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SOT-723
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Сопротивление - База (R1) 4.7 kOhms
Пакет устройств поставщика VESM
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 47 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 1598 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

PDTC115ET,215
Nexperia USA Inc.
$0
MCH4021-TL-H
ON Semiconductor
$0
MCH4021-TL-E
ON Semiconductor
$0
2SC5551AE-TD-E
ON Semiconductor
$0
2SC5415AE-TD-E
ON Semiconductor
$0