Image is for reference only , details as Specifications

RN1110(T5L,F,T)

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных: RN1110(T5L,F,T)
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 100mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SC-75, SOT-416
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Сопротивление - База (R1) 4.7 kOhms
Частота - Переход 250MHz
Пакет устройств поставщика SSM
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 61 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

RN1112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1109ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1106ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0