Image is for reference only , details as Specifications

RN1131MFV(TL3,T)

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных:	RN1131MFV(TL3,T)
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Digi-Reel®
Статус части	Discontinued at Digi-Key
Мощность - Макс	150mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SOT-723
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased
Сопротивление - База (R1)	100 kOhms
Пакет устройств поставщика	VESM
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V