Image is for reference only , details as Specifications

RN1309,LF

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных: RN1309,LF
Описание: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии -
Статус части Active
Мощность - Макс 100mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SC-70, SOT-323
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Сопротивление - База (R1) 47 kOhms
Частота - Переход 250MHz
Пакет устройств поставщика USM
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 22 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 76 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.03 $0.03 $0.03
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

RN2409,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1409,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2306,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
ADTA144ECAQ-7
Diodes Incorporated
$0.03
DTC143TUBTL
ROHM Semiconductor
$0.03