Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RN1312(TE85L,F)

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных: RN1312(TE85L,F)
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Active
Мощность - Макс 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SC-70, SOT-323
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Сопротивление - База (R1) 22 kOhms
Частота - Переход 250MHz
Пакет устройств поставщика USM
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 2845 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

RN2314(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
DDTB122TC-7-F
Diodes Incorporated
$0
DTA015EUBTL
ROHM Semiconductor
$0
DDTC113TE-7-F
Diodes Incorporated
$0
RN2316(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0