Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RN1427TE85LF

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных: RN1427TE85LF
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Tape & Reel (TR)
Статус части Active
Мощность - Макс 200mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Номер базовой части RN142*
Сопротивление - База (R1) 2.2 kOhms
Частота - Переход 300MHz
Пакет устройств поставщика S-Mini
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 10 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 800mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 90 @ 100mA, 1V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 73 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.11 $0.11 $0.11
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

UNR9111J0L
Panasonic Electronic Components
$0
DRDPB26W-7
Diodes Incorporated
$0
EML20T2R
ROHM Semiconductor
$0.1
DTC363EKT146
ROHM Semiconductor
$0.1
DTB122JKT146
ROHM Semiconductor
$0.1