Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RN1444ATE85LF

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных: RN1444ATE85LF
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 200mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Сопротивление - База (R1) 2.2 kOhms
Частота - Переход 30MHz
Пакет устройств поставщика S-Mini
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 100mV @ 3mA, 30mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 300mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 200 @ 4mA, 2V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 20V

На складе 67 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

RN1101CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
FJN3303RTA
ON Semiconductor
$0
RN1109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0