Image is for reference only , details as Specifications

RN1706JE(TE85L,F)

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных: RN1706JE(TE85L,F)
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Discontinued at Digi-Key
Мощность - Макс 100mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SOT-553
Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Сопротивление - База (R1) 4.7kOhms
Частота - Переход 250MHz
Пакет устройств поставщика ESV
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 47kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 98 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

RN4605(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1503(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
DDA113TU-7-F
Diodes Incorporated
$0
NUS2401SNT1G
ON Semiconductor
$0.25
NSVS50030SB3T1G
ON Semiconductor
$0.23