RN1706JE(TE85L,F)
Производителей: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Лист данных: | RN1706JE(TE85L,F) |
Описание: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Toshiba Semiconductor and Storage |
Категория продукции | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Серии | - |
Упаковки | Digi-Reel® |
Статус части | Discontinued at Digi-Key |
Мощность - Макс | 100mW |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | SOT-553 |
Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Сопротивление - База (R1) | 4.7kOhms |
Частота - Переход | 250MHz |
Пакет устройств поставщика | ESV |
Сопротивление - База Эмиттера (R2) | 47kOhms |
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) | 100nA (ICBO) |
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) | 50V |
На складе 98 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1