Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RN1901FETE85LF

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных:	RN1901FETE85LF
Описание:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Digi-Reel®
Статус части	Active
Мощность - Макс	100mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SOT-563, SOT-666
Тип транзистора	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Сопротивление - База (R1)	4.7kOhms
Частота - Переход	250MHz
Пакет устройств поставщика	ES6
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	4.7kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V