Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RN1905,LF

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных: RN1905,LF
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 200mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Сопротивление - База (R1) 2.2kOhms
Частота - Переход 250MHz
Пакет устройств поставщика US6
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 47kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 72 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NSVB144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
$0
NSVB124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
$0
RN4902FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2706JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1506(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0