Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RN1910,LF(CT

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных: RN1910,LF(CT
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Active
Мощность - Макс 100mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Сопротивление - База (R1) 4.7kOhms
Частота - Переход 250MHz
Пакет устройств поставщика US6
Сопротивление - База Эмиттера (R2) -
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 2425 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

RN1903,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
MUN5133DW1T1G
ON Semiconductor
$0
RN4982FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1907FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
T810T-8T
STMicroelectronics
$1.17