Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RN2106(T5L,F,T)

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных: RN2106(T5L,F,T)
Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Discontinued at Digi-Key
Мощность - Макс 100mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SC-75, SOT-416
Тип транзистора PNP - Pre-Biased
Сопротивление - База (R1) 4.7 kOhms
Частота - Переход 200MHz
Пакет устройств поставщика SSM
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 47 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 57 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

PDTC115EE,115
NXP USA Inc.
$0
PDTC114YE,115
NXP USA Inc.
$0
BCR503E6393HTSA1
Infineon Technologies
$0
BCR198E6393HTSA1
Infineon Technologies
$0
BCR192E6785HTSA1
Infineon Technologies
$0