Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов
RN2110MFV,L3F
| Производителей: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Лист данных: | RN2110MFV,L3F |
| Описание: | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Категория продукции | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Серии | - |
| Статус части | Active |
| Мощность - Макс | 150mW |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | SOT-723 |
| Тип транзистора | PNP - Pre-Biased |
| Сопротивление - База (R1) | 4.7 kOhms |
| Пакет устройств поставщика | VESM |
| Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) | 100nA (ICBO) |
| DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) | 50V |
На складе 51 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.03 | $0.03 | $0.03 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
