Image is for reference only , details as Specifications

RN2610(TE85L,F)

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных: RN2610(TE85L,F)
Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Active
Мощность - Макс 300mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SC-74, SOT-457
Тип транзистора 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Сопротивление - База (R1) 4.7kOhms
Частота - Переход 200MHz
Пакет устройств поставщика SM6
Сопротивление - База Эмиттера (R2) -
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 2960 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

RN2503(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.57
RN1508(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
PBLS6023D,115
Nexperia USA Inc.
$0.14
IMH6AT108
ROHM Semiconductor
$0
EMD30T2R
ROHM Semiconductor
$0