Image is for reference only , details as Specifications
RN2712JE(TE85L,F)
| Производителей: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Лист данных: | RN2712JE(TE85L,F) |
| Описание: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Категория продукции | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Серии | - |
| Упаковки | Digi-Reel® |
| Статус части | Active |
| Мощность - Макс | 100mW |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | SOT-553 |
| Тип транзистора | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Сопротивление - База (R1) | 22kOhms |
| Частота - Переход | 200MHz |
| Пакет устройств поставщика | ESV |
| Сопротивление - База Эмиттера (R2) | - |
| Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) | 100nA (ICBO) |
| DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) | 50V |
На складе 4000 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
